近年来，ASML在半导体技术领域占据着举足轻重的地位，成为先进半导体生产供应链中不可或缺的一环。目前，ASML正在有序地推进其发展路线图，其中EUV技术是High-NA EUV之后的研究方向。去年底，该公司已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。

尽管业界刚刚开始迈入High-NA EUV时代，但ASML已经开始研究Hyper-NA EUV技术，并寻求解决方案。据外媒报道，在Martin van den Brink今年5月举行的imec ITF World演讲中透露，从长远来看需要改进照明系统，并采用Hyper-NA技术来实现每小时400到500片晶圆的生产效率。

ASML计划在2030年左右推出Hyper-NA EUV光刻机，其数值孔径将达到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的是0.55数值孔径、EUV则是0.33数值孔径。随着精度的进一步提高，可以实现更高分辨率的图案化和更小的晶体管特征。

然而，Hyper-NA技术也带来了一些新的挑战。例如，光刻胶需要变得更薄。根据imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，High-NA EUV应该可以覆盖2nm到1.4nm的制程节点，而Hyper-NA EUV将从那里开始接管。

总之，ASML在半导体技术和供应链中的重要地位日益凸显，并且正在积极研究与开发下一代Hyper-NA EUV技术以满足行业不断增长的需求。虽然这一过程仍处于早期阶段，但我们可以期待这些先进技术为制造业带来革命性的变革。